FM28V202A-TG
IC
TSOPII-44
可供量大可议
FM28V202A-TG
是 128 × 16 的非易失性存储器， 读写方式与标准 SRAM 类似。 铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的， 断电后数据可保留超 151 年， 消除了电池备用 SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。 快速写入时序和高写入耐久性使其优于其他类型的存储器。 操作与其他 RAM 设备类似， 可作为系统中标准 SRAM 的直接替代品
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
TSOPII-44
库存
2
货期
现货
FM28V202A-TG参数
| 封装 | TSOPII-44 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 铁电存储器(FRAM) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
FM28V202A-TG概述
是 128 × 16 的非易失性存储器， 读写方式与标准 SRAM 类似。 铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的， 断电后数据可保留超 151 年， 消除了电池备用 SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。 快速写入时序和高写入耐久性使其优于其他类型的存储器。 操作与其他 RAM 设备类似， 可作为系统中标准 SRAM 的直接替代品
FM28V202A-TG特性
暂无产品特性。
FM28V202A-TG应用领域
暂无应用领域。