FM25VN10-G
IC
SOIC-8
可供量大可议
FM25VN10-G
采用先进铁电工艺的1 Mbit非易失性存储器。 铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的， 读写操作类似于RAM。 它能可靠保留数据151年， 同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同， FM25V10以总线速度执行写操作， 无写延迟。 每个字节成功传输到设备后， 数据立即写入存储阵列， 下一个总线周期无需数据轮询即可开始。 此外， 与其他非易失性存储器相比， 该产品具有更高的写入耐久性， 能够支持10¹⁴次读写循环， 比EEPROM多1亿倍的写入循环
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
SOIC-8
库存
1
货期
现货
FM25VN10-G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 铁电存储器(FRAM) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FM25VN10-G概述
采用先进铁电工艺的1 Mbit非易失性存储器。 铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的， 读写操作类似于RAM。 它能可靠保留数据151年， 同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同， FM25V10以总线速度执行写操作， 无写延迟。 每个字节成功传输到设备后， 数据立即写入存储阵列， 下一个总线周期无需数据轮询即可开始。 此外， 与其他非易失性存储器相比， 该产品具有更高的写入耐久性， 能够支持10¹⁴次读写循环， 比EEPROM多1亿倍的写入循环
FM25VN10-G特性
暂无产品特性。
FM25VN10-G应用领域
暂无应用领域。