FM25V02A-DGTR
IC
WDFN-8-EP
可供量大可议
FM25V02A-DGTR
采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。 F-RAM是非易失性的， 读写操作类似于RAM。 它可提供151年的可靠数据保留， 同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同， 该产品以总线速度执行写操作， 无写延迟
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
WDFN-8-EP
库存
1
货期
现货
FM25V02A-DGTR参数
| 封装 | WDFN-8-EP |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 铁电存储器(FRAM) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FM25V02A-DGTR概述
采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。 F-RAM是非易失性的， 读写操作类似于RAM。 它可提供151年的可靠数据保留， 同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同， 该产品以总线速度执行写操作， 无写延迟
FM25V02A-DGTR特性
暂无产品特性。
FM25V02A-DGTR应用领域
暂无应用领域。