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FJPF2145TU
IC

TO-220F-3

可供量大可议

FJPF2145TU

FJPF2145 是一款低成本、高性能电源开关, 在电源、电机驱动器、智能电网或点火开关等应用的 ESBC 配置中使用时, 可提供最佳性能。 该电源开关可在高达 1100 V 和 5 A 下运行, 同时提供卓越的低导通电阻和极低开关损耗。 ESBC 开关可由现成电源控制器或驱动器驱动。 ESBC MOSFET 是一款低电压、低成本、表面贴装器件, 组合了低输入电容和快速开关。 ESBC 配置进一步最大程度减小了所需驱动功率, 因为它没有米勒电容。 FJPF2145 具有方形逆向偏置安全运行区域 (RBSOA) 和坚固设计, 因此提供了卓越可靠性和较大运行范围。 该器件为雪崩额定, 没有寄生晶体管, 因此不容易出现静态 dv/dt 故障。 该电源开关是使用专属的高电压双极工艺生产的, 采用高电压 TO-220F 封装。

品牌

onsemi

封装

TO-220F-3

库存

1

货期

现货

FJPF2145TU参数

封装TO-220F-3
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存1

FJPF2145TU概述

FJPF2145 是一款低成本、高性能电源开关, 在电源、电机驱动器、智能电网或点火开关等应用的 ESBC 配置中使用时, 可提供最佳性能。 该电源开关可在高达 1100 V 和 5 A 下运行, 同时提供卓越的低导通电阻和极低开关损耗。 ESBC 开关可由现成电源控制器或驱动器驱动。 ESBC MOSFET 是一款低电压、低成本、表面贴装器件, 组合了低输入电容和快速开关。 ESBC 配置进一步最大程度减小了所需驱动功率, 因为它没有米勒电容。 FJPF2145 具有方形逆向偏置安全运行区域 (RBSOA) 和坚固设计, 因此提供了卓越可靠性和较大运行范围。 该器件为雪崩额定, 没有寄生晶体管, 因此不容易出现静态 dv/dt 故障。 该电源开关是使用专属的高电压双极工艺生产的, 采用高电压 TO-220F 封装。

FJPF2145TU特性

暂无产品特性。

FJPF2145TU应用领域

暂无应用领域。

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