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FJP13007H1TU-F080-HXY
IC

TO-220

可供量大可议

FJP13007H1TU-F080-HXY

这款NPN型三极管(BJT)专为高性能电路设计, 能够承受高达400V的集电极-发射极电压(VCEO), 并支持最高8A的集电极电流(IC), 非常适合高电压应用环境。 其直流电流增益(HFE)约为10, 表明它在放大和控制电流方面具有良好的线性度与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)为4MHz, 确保了在特定应用场景下能够提供可靠的高频响应, 适用于需要精确控制和高效能转换的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

58

货期

现货

FJP13007H1TU-F080-HXY参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存58

FJP13007H1TU-F080-HXY概述

这款NPN型三极管(BJT)专为高性能电路设计, 能够承受高达400V的集电极-发射极电压(VCEO), 并支持最高8A的集电极电流(IC), 非常适合高电压应用环境。 其直流电流增益(HFE)约为10, 表明它在放大和控制电流方面具有良好的线性度与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)为4MHz, 确保了在特定应用场景下能够提供可靠的高频响应, 适用于需要精确控制和高效能转换的电子设备中。

FJP13007H1TU-F080-HXY特性

暂无产品特性。

FJP13007H1TU-F080-HXY应用领域

暂无应用领域。

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