FJP13007H1TU-F080-HXY
IC
TO-220
可供量大可议
FJP13007H1TU-F080-HXY
这款NPN型三极管(BJT)专为高性能电路设计, 能够承受高达400V的集电极-发射极电压(VCEO), 并支持最高8A的集电极电流(IC), 非常适合高电压应用环境。 其直流电流增益(HFE)约为10, 表明它在放大和控制电流方面具有良好的线性度与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)为4MHz, 确保了在特定应用场景下能够提供可靠的高频响应, 适用于需要精确控制和高效能转换的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
58
货期
现货
FJP13007H1TU-F080-HXY参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
FJP13007H1TU-F080-HXY概述
这款NPN型三极管(BJT)专为高性能电路设计, 能够承受高达400V的集电极-发射极电压(VCEO), 并支持最高8A的集电极电流(IC), 非常适合高电压应用环境。 其直流电流增益(HFE)约为10, 表明它在放大和控制电流方面具有良好的线性度与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)为4MHz, 确保了在特定应用场景下能够提供可靠的高频响应, 适用于需要精确控制和高效能转换的电子设备中。
FJP13007H1TU-F080-HXY特性
暂无产品特性。
FJP13007H1TU-F080-HXY应用领域
暂无应用领域。
