FIR4N65FG-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
FIR4N65FG-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N型MOSFET， 采用Plannar技术制造， 具有高性能和可靠性。 适用于各种电源和功率控制应用。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 4A； RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
50
货期
现货
FIR4N65FG-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
FIR4N65FG-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N型MOSFET， 采用Plannar技术制造， 具有高性能和可靠性。 适用于各种电源和功率控制应用。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 4A； RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
FIR4N65FG-VB特性
暂无产品特性。
FIR4N65FG-VB应用领域
暂无应用领域。