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FH8807G3B
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

FH8807G3B

采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

品牌

鑫飞宏

封装

DFN-8(3x3)

库存

4,025

货期

现货

FH8807G3B参数

封装DFN-8(3x3)
品牌鑫飞宏
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存4025

FH8807G3B概述

采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

FH8807G3B特性

暂无产品特性。

FH8807G3B应用领域

暂无应用领域。

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