FH8707G3
IC
TDFN-8-EP(3x3)
可供量大可议
FH8707G3
FH8707G3采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
鑫飞宏
封装
TDFN-8-EP(3x3)
库存
230
货期
现货
FH8707G3参数
| 封装 | TDFN-8-EP(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 230 |
FH8707G3概述
FH8707G3采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
FH8707G3特性
暂无产品特性。
FH8707G3应用领域
暂无应用领域。