FH4606B
IC
SO-8
可供量大可议
FH4606B
特性：超高密度电池设计。 可靠耐用。 封装形式：SO-8。 工作温度范围：-55~150℃。 N沟道30V/7A， RDS(ON)=18mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON)=25mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 P沟道-30V/- 5.5A， RDS(ON)=40mΩ（典型值）@VGS =-10V， RDS(ON)=62mΩ（典型值）@VGS =-4.5V。 应用：笔记本电脑的电源管理系统。 便携式设备和电池的供电系统
品牌
鑫飞宏
封装
SO-8
库存
15,405
货期
现货
FH4606B参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15405 |
FH4606B概述
特性：超高密度电池设计。 可靠耐用。 封装形式：SO-8。 工作温度范围：-55~150℃。 N沟道30V/7A， RDS(ON)=18mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON)=25mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 P沟道-30V/- 5.5A， RDS(ON)=40mΩ（典型值）@VGS =-10V， RDS(ON)=62mΩ（典型值）@VGS =-4.5V。 应用：笔记本电脑的电源管理系统。 便携式设备和电池的供电系统
FH4606B特性
暂无产品特性。
FH4606B应用领域
暂无应用领域。