FH45P03G6
IC
PDFN3.3x3.3-8L
可供量大可议
FH45P03G6
P-Channel 增强模式 MOSFET 采用 Trench 技术， 封装为 PDFN3.3x3.3-8L。
品牌
鑫飞宏
封装
PDFN3.3x3.3-8L
库存
2,045
货期
现货
FH45P03G6参数
| 封装 | PDFN3.3x3.3-8L |
|---|---|
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2045 |
FH45P03G6概述
P-Channel 增强模式 MOSFET 采用 Trench 技术， 封装为 PDFN3.3x3.3-8L。
FH45P03G6特性
暂无产品特性。
FH45P03G6应用领域
暂无应用领域。