FH3704B
IC
TO-263
可供量大可议
FH3704B
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用
品牌
鑫飞宏
封装
TO-263
库存
799
货期
现货
FH3704B参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 799 |
FH3704B概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用
FH3704B特性
暂无产品特性。
FH3704B应用领域
暂无应用领域。