FH3415G+
IC
SOT-23
可供量大可议
FH3415G+
采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷， 并能在低至 1.8V 的栅极电压下工作。 适用于负载开关或 PWM 应用， 具备 ESD 保护功能。
品牌
鑫飞宏
封装
SOT-23
库存
2,420
货期
现货
FH3415G+参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2420 |
FH3415G+概述
采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷， 并能在低至 1.8V 的栅极电压下工作。 适用于负载开关或 PWM 应用， 具备 ESD 保护功能。
FH3415G+特性
暂无产品特性。
FH3415G+应用领域
暂无应用领域。