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FH1910G
IC

PDFN5x6-8L

可供量大可议

FH1910G

FH1910G采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。

品牌

鑫飞宏

封装

PDFN5x6-8L

库存

26

货期

现货

FH1910G参数

封装PDFN5x6-8L
品牌鑫飞宏
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存26

FH1910G概述

FH1910G采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。

FH1910G特性

暂无产品特性。

FH1910G应用领域

暂无应用领域。

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