FH1806D2
IC
TO-252
可供量大可议
FH1806D2
采用先进的沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。 该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)， 可大幅降低开关和导通损耗。 因此， 它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用
品牌
鑫飞宏
封装
TO-252
库存
670
货期
现货
FH1806D2参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 670 |
FH1806D2概述
采用先进的沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。 该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)， 可大幅降低开关和导通损耗。 因此， 它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用
FH1806D2特性
暂无产品特性。
FH1806D2应用领域
暂无应用领域。