FH1604G
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
FH1604G
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效率快速开关应用
品牌
鑫飞宏
封装
PDFN-8(5x6)
库存
750
货期
现货
FH1604G参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 750 |
FH1604G概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效率快速开关应用
FH1604G特性
暂无产品特性。
FH1604G应用领域
暂无应用领域。