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FH13P04G6
IC

PDFN-8L(3.3x3.3)

可供量大可议

FH13P04G6

使用先进的沟槽技术, 可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷, 并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作, 适用于多种应用。

品牌

鑫飞宏

封装

PDFN-8L(3.3x3.3)

库存

3,755

货期

现货

FH13P04G6参数

封装PDFN-8L(3.3x3.3)
品牌鑫飞宏
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存3755

FH13P04G6概述

使用先进的沟槽技术, 可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷, 并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作, 适用于多种应用。

FH13P04G6特性

暂无产品特性。

FH13P04G6应用领域

暂无应用领域。

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