FGY75T120SQDN
IC
TO-247-3
可供量大可议
FGY75T120SQDN
IGBT-场截止-1200V-150A-790W-通孔-TO-247-3
品牌
ON
封装
TO-247-3
库存
698
货期
现货
FGY75T120SQDN参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@75A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 399nC |
| 输出电容(Coes) | 242pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 64ns |
| 导通损耗(Eon) | 6.25mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 99ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 698 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 790W |
| 集电极电流(Ic) | 150A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@0.4mA |
| 输入电容(Cies) | 9.06nF |
| 反向传输电容(Cres) | 137pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 332ns |
| 关断损耗(Eoff) | 1.96mJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FGY75T120SQDN概述
IGBT-场截止-1200V-150A-790W-通孔-TO-247-3
FGY75T120SQDN特性
暂无产品特性。
FGY75T120SQDN应用领域
暂无应用领域。