FGH75T65SQDNL4

此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 IV 沟槽结构， 为要求苛刻的开关应用提供卓越性能， 提供低导通状态电压， 并最大限度降低开关损耗。 另外， 此新器件采用 TO? 247? 4L 封装， 与标准 TO? 247? 3L 封装相比提供了明显的 Eon 损耗降低。 此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。 此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管， 采用低正向电压。