FGH60N60SFDTU-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
FGH60N60SFDTU-HXY
本产品为IGBT管/模块, 具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率场景下的稳定工作。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持高达50A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)也为1.65V, 提升了整体能效表现。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计, 能够满足复杂电路中对可靠性和性能的要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
10
货期
现货
FGH60N60SFDTU-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
FGH60N60SFDTU-HXY概述
本产品为IGBT管/模块, 具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率场景下的稳定工作。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持高达50A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)也为1.65V, 提升了整体能效表现。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计, 能够满足复杂电路中对可靠性和性能的要求。
FGH60N60SFDTU-HXY特性
暂无产品特性。
FGH60N60SFDTU-HXY应用领域
暂无应用领域。
