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FGH60N60SFDTU-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

FGH60N60SFDTU-HXY

本产品为IGBT管/模块, 具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率场景下的稳定工作。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持高达50A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)也为1.65V, 提升了整体能效表现。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计, 能够满足复杂电路中对可靠性和性能的要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

10

货期

现货

FGH60N60SFDTU-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存10

FGH60N60SFDTU-HXY概述

本产品为IGBT管/模块, 具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率场景下的稳定工作。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持高达50A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)也为1.65V, 提升了整体能效表现。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计, 能够满足复杂电路中对可靠性和性能的要求。

FGH60N60SFDTU-HXY特性

暂无产品特性。

FGH60N60SFDTU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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