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FGH50T65SQD-F155
IC

TO-247-G03

可供量大可议

FGH50T65SQD-F155

IGBT管/模块 650V 268W FS(场截止) 100A

品牌

ON

封装

TO-247-G03

库存

358

货期

现货

FGH50T65SQD-F155参数

封装TO-247-G03
品牌ON(安森美)
批次两年内
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V@50A, 15V
栅极电荷量(Qg)99nC@15V
输出电容(Coes)84pF
开启延迟时间(Td(on))22ns
导通损耗(Eon)180uJ
反向恢复时间(Trr)31ns
分类IGBT管/模块
库存358
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)268W
集电极电流(Ic)100A
栅极阈值电压(Vge(th))2.6V@50mA
输入电容(Cies)3.275nF
反向传输电容(Cres)12pF
关断延迟时间(Td(off))105ns
关断损耗(Eoff)45uJ
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

FGH50T65SQD-F155概述

IGBT管/模块 650V 268W FS(场截止) 100A

FGH50T65SQD-F155特性

暂无产品特性。

FGH50T65SQD-F155应用领域

暂无应用领域。

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