FGH40T65SQD-F155-HXY

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)， 适用于中等功率场景下的高频开关应用。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V， 在保证性能的同时有助于降低导通损耗。 内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF)， 正向压降(Vf)为1.8V， 具备稳定的反向恢复特性。 模块采用优化的封装结构， 散热性能良好， 适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。