FGD3245G2-F085V
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IC
DPAK
FGD3245G2-F085V
FGD3245G2-F085C 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 工艺设计的 N 沟道 IGBT， 有助于消除外部保护电路。 该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈， 在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。 逻辑电平门极输入具有 ESD 保护， 以及一个集成式门极电阻。 集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V， 可实现需要更高火花电压的系统。
品牌
onsemi
封装
DPAK
交期
现货
批次
—
FGD3245G2-F085V参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 450V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.13V |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品型号 | FGD3245G2-F085V |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000476 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 集电极电流(Ic) | 23A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.6V |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 900ns |
| 商品名称 | FGD3245G2-F085V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | IGBT管/模块 |
FGD3245G2-F085V概述
FGD3245G2-F085C 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 工艺设计的 N 沟道 IGBT， 有助于消除外部保护电路。 该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈， 在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。 逻辑电平门极输入具有 ESD 保护， 以及一个集成式门极电阻。 集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V， 可实现需要更高火花电压的系统。