FGB3245G2-F085

FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT， 有助于消除外部保护电路。 该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈， 在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。 逻辑电平门极输入具有 ESD 保护， 以及一个集成式门极电阻。 集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V， 可实现需要更高火花电压的系统。