FGAF40N60SMD
自营可供
IC
TO-3PF
FGAF40N60SMD
Transistor: IGBT
品牌
ON
封装
TO-3PF
交期
现货
批次
25+
FGAF40N60SMD参数
| 封装 | TO-3PF |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Cies) | 1.88nF |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 92ns |
| 关断损耗(Eoff) | 260uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品型号 | FGAF40N60SMD |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | IGBT管/模块 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 178 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 集电极电流(Ic) | 40A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 180pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns |
| 导通损耗(Eon) | 870uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 36ns |
| 商品名称 | FGAF40N60SMD |
| 封装 | TO-3PF-3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.007476 |
FGAF40N60SMD概述
Transistor: IGBT