FGA60N65SMD
IC
TO-3P
可供量大可议
FGA60N65SMD
IGBT-场截止-650V-120A-600W-通孔-TO-3P
品牌
ON
封装
TO-3P
库存
221
货期
现货
FGA60N65SMD参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 180A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@60A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 189nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 270pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns |
| 导通损耗(Eon) | 1.54mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 47ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 221 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 600W |
| 集电极电流(Ic) | 120A |
| 集电极截止电流(Ices) | 250uA |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@250uA |
| 输入电容(Cies) | 2.915nF |
| 反向传输电容(Cres) | 85pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 104ns |
| 关断损耗(Eoff) | 450uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
FGA60N65SMD概述
IGBT-场截止-650V-120A-600W-通孔-TO-3P
FGA60N65SMD特性
暂无产品特性。
FGA60N65SMD应用领域
暂无应用领域。