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FGA40N65SMD
自营可供
IC

TO-3PN

FGA40N65SMD

IGBT管/模块 650V 349W FS(场截止) 80A TO-3PN

品牌

ON

封装

TO-3PN

交期

现货

批次

25+

FGA40N65SMD参数

封装TO-3PN
品牌ON(安森美)
批次25+
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.5V@40A, 15V
栅极电荷量(Qg)119nC
输出电容(Coes)180pF
开启延迟时间(Td(on))12ns
导通损耗(Eon)820uJ
反向恢复时间(Trr)42ns
分类IGBT管/模块
库存40
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)349W
集电极电流(Ic)80A
栅极阈值电压(Vge(th))3.5V@250uA
输入电容(Cies)1.88nF
反向传输电容(Cres)50pF
关断延迟时间(Td(off))92ns
关断损耗(Eoff)260uJ

FGA40N65SMD概述

IGBT管/模块 650V 349W FS(场截止) 80A TO-3PN

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