FGA40N65SMD
IC
TO-3PN
可供量大可议
FGA40N65SMD
IGBT管/模块 650V 349W FS(场截止) 80A TO-3PN
品牌
ON
封装
TO-3PN
库存
40
货期
现货
FGA40N65SMD参数
| 封装 | TO-3PN |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@40A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC |
| 输出电容(Coes) | 180pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns |
| 导通损耗(Eon) | 820uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 42ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 349W |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@250uA |
| 输入电容(Cies) | 1.88nF |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 92ns |
| 关断损耗(Eoff) | 260uJ |
FGA40N65SMD概述
IGBT管/模块 650V 349W FS(场截止) 80A TO-3PN
FGA40N65SMD特性
暂无产品特性。
FGA40N65SMD应用领域
暂无应用领域。