FFSP3065A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
FFSP3065A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备30A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下可保持稳定性能。 其正向压降低至1.41V, 有助于减少导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗。 适用于高密度电源转换设计, 如高效开关电源、服务器电源模块及可再生能源逆变系统, 满足对热性能和可靠性要求较高的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
FFSP3065A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
FFSP3065A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备30A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下可保持稳定性能。 其正向压降低至1.41V, 有助于减少导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗。 适用于高密度电源转换设计, 如高效开关电源、服务器电源模块及可再生能源逆变系统, 满足对热性能和可靠性要求较高的应用场景。
FFSP3065A-HXY特性
暂无产品特性。
FFSP3065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
