FFSM0665A-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
FFSM0665A-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)典型值为1.42V。 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 其在高频开关条件下具有较低的开关损耗与较高的热稳定性, 适用于高效率电源、功率因数校正模块以及对体积和温升敏感的电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
48
货期
现货
FFSM0665A-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
FFSM0665A-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)典型值为1.42V。 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 其在高频开关条件下具有较低的开关损耗与较高的热稳定性, 适用于高效率电源、功率因数校正模块以及对体积和温升敏感的电力电子系统中。
FFSM0665A-HXY特性
暂无产品特性。
FFSM0665A-HXY应用领域
暂无应用领域。
