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FFSM0665A-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

FFSM0665A-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)典型值为1.42V。 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 其在高频开关条件下具有较低的开关损耗与较高的热稳定性, 适用于高效率电源、功率因数校正模块以及对体积和温升敏感的电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

48

货期

现货

FFSM0665A-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存48

FFSM0665A-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)典型值为1.42V。 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 其在高频开关条件下具有较低的开关损耗与较高的热稳定性, 适用于高效率电源、功率因数校正模块以及对体积和温升敏感的电力电子系统中。

FFSM0665A-HXY特性

暂无产品特性。

FFSM0665A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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