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FFSH5065A-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

FFSH5065A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备50A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.45V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高功率密度电源转换场景。 器件热稳定性良好, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 适合用于高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的功率整流电路中, 为复杂电力电子系统提供坚实的元器件支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

16

货期

现货

FFSH5065A-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存16

FFSH5065A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备50A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.45V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高功率密度电源转换场景。 器件热稳定性良好, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 适合用于高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的功率整流电路中, 为复杂电力电子系统提供坚实的元器件支持。

FFSH5065A-HXY特性

暂无产品特性。

FFSH5065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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