FFSH5065A-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
FFSH5065A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备50A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.45V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高功率密度电源转换场景。 器件热稳定性良好, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 适合用于高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的功率整流电路中, 为复杂电力电子系统提供坚实的元器件支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
16
货期
现货
FFSH5065A-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 16 |
FFSH5065A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备50A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.45V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效降低开关损耗, 适用于高功率密度电源转换场景。 器件热稳定性良好, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 适合用于高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的功率整流电路中, 为复杂电力电子系统提供坚实的元器件支持。
FFSH5065A-HXY特性
暂无产品特性。
FFSH5065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
