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FFSH4065A-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

FFSH4065A-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备40A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高压功率场合。 其正向导通压降(VF)为1.47V, 在高频工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具有优异的反向恢复性能和高温工作能力, 支持快速开关, 减少能量损耗。 常用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变与整流电路, 以及对能效和散热设计有较高要求的电力变换装置中, 有助于提升系统功率密度与运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

25

货期

现货

FFSH4065A-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

FFSH4065A-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备40A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高压功率场合。 其正向导通压降(VF)为1.47V, 在高频工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具有优异的反向恢复性能和高温工作能力, 支持快速开关, 减少能量损耗。 常用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变与整流电路, 以及对能效和散热设计有较高要求的电力变换装置中, 有助于提升系统功率密度与运行稳定性。

FFSH4065A-HXY特性

暂无产品特性。

FFSH4065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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