FFSH4065A-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
FFSH4065A-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备40A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高压功率场合。 其正向导通压降(VF)为1.47V, 在高频工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具有优异的反向恢复性能和高温工作能力, 支持快速开关, 减少能量损耗。 常用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变与整流电路, 以及对能效和散热设计有较高要求的电力变换装置中, 有助于提升系统功率密度与运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
25
货期
现货
FFSH4065A-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
FFSH4065A-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备40A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高压功率场合。 其正向导通压降(VF)为1.47V, 在高频工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具有优异的反向恢复性能和高温工作能力, 支持快速开关, 减少能量损耗。 常用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变与整流电路, 以及对能效和散热设计有较高要求的电力变换装置中, 有助于提升系统功率密度与运行稳定性。
FFSH4065A-HXY特性
暂无产品特性。
FFSH4065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
