FFSH2065B-F085-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
FFSH2065B-F085-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 可在高电流工作条件下有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 显著减少开关过程中的能量损耗。 适用于高频率、高效率的开关电源、直流变换模块及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对热管理性能和功率密度要求较高的紧凑型电力电子装置。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
2
货期
现货
FFSH2065B-F085-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
FFSH2065B-F085-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 可在高电流工作条件下有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 显著减少开关过程中的能量损耗。 适用于高频率、高效率的开关电源、直流变换模块及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对热管理性能和功率密度要求较高的紧凑型电力电子装置。
FFSH2065B-F085-HXY特性
暂无产品特性。
FFSH2065B-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
