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FFSH2065B-F085-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

FFSH2065B-F085-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 可在高电流工作条件下有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 显著减少开关过程中的能量损耗。 适用于高频率、高效率的开关电源、直流变换模块及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对热管理性能和功率密度要求较高的紧凑型电力电子装置。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

2

货期

现货

FFSH2065B-F085-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存2

FFSH2065B-F085-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电源转换场景。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 可在高电流工作条件下有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 显著减少开关过程中的能量损耗。 适用于高频率、高效率的开关电源、直流变换模块及可再生能源发电系统中的整流与续流环节, 尤其适合对热管理性能和功率密度要求较高的紧凑型电力电子装置。

FFSH2065B-F085-HXY特性

暂无产品特性。

FFSH2065B-F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

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