FFSH2065A-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
FFSH2065A-HXY
这款碳化硅二极管专为高效能应用设计, 提供20A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)能力, 确保在高压环境下的稳定操作。 其正向电压(VF)低至1.35V, 有效降低能耗, 同时反向漏电流(IR)仅为10uA, 进一步提高了能源效率。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达150A, 赋予产品卓越的抗冲击能力。 此二极管非常适合需要高可靠性和高性能的电源转换系统, 如可再生能源解决方案及高效电力供应架构中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
16
货期
现货
FFSH2065A-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 16 |
FFSH2065A-HXY概述
这款碳化硅二极管专为高效能应用设计, 提供20A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)能力, 确保在高压环境下的稳定操作。 其正向电压(VF)低至1.35V, 有效降低能耗, 同时反向漏电流(IR)仅为10uA, 进一步提高了能源效率。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达150A, 赋予产品卓越的抗冲击能力。 此二极管非常适合需要高可靠性和高性能的电源转换系统, 如可再生能源解决方案及高效电力供应架构中。
FFSH2065A-HXY特性
暂无产品特性。
FFSH2065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
