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FFSH2065A-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

FFSH2065A-HXY

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计, 提供20A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)能力, 确保在高压环境下的稳定操作。 其正向电压(VF)低至1.35V, 有效降低能耗, 同时反向漏电流(IR)仅为10uA, 进一步提高了能源效率。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达150A, 赋予产品卓越的抗冲击能力。 此二极管非常适合需要高可靠性和高性能的电源转换系统, 如可再生能源解决方案及高效电力供应架构中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

16

货期

现货

FFSH2065A-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存16

FFSH2065A-HXY概述

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计, 提供20A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)能力, 确保在高压环境下的稳定操作。 其正向电压(VF)低至1.35V, 有效降低能耗, 同时反向漏电流(IR)仅为10uA, 进一步提高了能源效率。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达150A, 赋予产品卓越的抗冲击能力。 此二极管非常适合需要高可靠性和高性能的电源转换系统, 如可再生能源解决方案及高效电力供应架构中。

FFSH2065A-HXY特性

暂无产品特性。

FFSH2065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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