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FFSD08120A-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FFSD08120A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和1200V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.45V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现高频、高效率的整流性能, 反向恢复时间极短, 漏电流低, 适用于高开关频率的电源转换场景。 其高耐压与高电流承载能力, 结合优异的热稳定性, 适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中, 有助于提升系统整体能效并减少散热需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

189

货期

现货

FFSD08120A-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存189

FFSD08120A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和1200V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.45V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现高频、高效率的整流性能, 反向恢复时间极短, 漏电流低, 适用于高开关频率的电源转换场景。 其高耐压与高电流承载能力, 结合优异的热稳定性, 适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中, 有助于提升系统整体能效并减少散热需求。

FFSD08120A-HXY特性

暂无产品特性。

FFSD08120A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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