FFSD08120A-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FFSD08120A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和1200V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.45V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现高频、高效率的整流性能, 反向恢复时间极短, 漏电流低, 适用于高开关频率的电源转换场景。 其高耐压与高电流承载能力, 结合优异的热稳定性, 适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中, 有助于提升系统整体能效并减少散热需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
189
货期
现货
FFSD08120A-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 189 |
FFSD08120A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和1200V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.45V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现高频、高效率的整流性能, 反向恢复时间极短, 漏电流低, 适用于高开关频率的电源转换场景。 其高耐压与高电流承载能力, 结合优异的热稳定性, 适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中, 有助于提升系统整体能效并减少散热需求。
FFSD08120A-HXY特性
暂无产品特性。
FFSD08120A-HXY应用领域
暂无应用领域。
