FFSD0465A-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FFSD0465A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降低至1.4V, 有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关能力和良好的热稳定性, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及功率因数校正电路等场景, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度, 满足对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
37
货期
现货
FFSD0465A-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 37 |
FFSD0465A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降低至1.4V, 有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关能力和良好的热稳定性, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及功率因数校正电路等场景, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度, 满足对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子应用。
FFSD0465A-HXY特性
暂无产品特性。
FFSD0465A-HXY应用领域
暂无应用领域。
