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FFSD0465A-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FFSD0465A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降低至1.4V, 有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关能力和良好的热稳定性, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及功率因数校正电路等场景, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度, 满足对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

37

货期

现货

FFSD0465A-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存37

FFSD0465A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降低至1.4V, 有效减少导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关能力和良好的热稳定性, 适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及功率因数校正电路等场景, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度, 满足对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子应用。

FFSD0465A-HXY特性

暂无产品特性。

FFSD0465A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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