FFSB3065B-F085
IC
TO-263-2
可供量大可议
FFSB3065B-F085
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术， 能够提供卓越的开关性能， 且比硅具有更高的可靠性。 碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能， 使其成为下一代功率半导体产品。 系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI， 以及减小的系统尺寸和成本。
品牌
onsemi
封装
TO-263-2
库存
18
货期
现货
FFSB3065B-F085参数
| 封装 | TO-263-2 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 整流电流 | 73A |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 1100A |
| 商品名称 | 碳化硅肖特基二极管， 无反向恢复电流， 开关特性与温度无关， 热性能出色 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 碳化硅二极管 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.38V@30A |
| 反向电流(Ir) | 500nA@650V |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
| 商品型号 | FFSB3065B-F085 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001704 |
FFSB3065B-F085概述
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术， 能够提供卓越的开关性能， 且比硅具有更高的可靠性。 碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能， 使其成为下一代功率半导体产品。 系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI， 以及减小的系统尺寸和成本。
FFSB3065B-F085特性
暂无产品特性。
FFSB3065B-F085应用领域
暂无应用领域。