FFPF08S60STU-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
FFPF08S60STU-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复峰值电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)为1.4V, 有助于降低导通损耗; 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效率电能转换系统, 在高温或高频率运行环境中仍能保持稳定的电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
FFPF08S60STU-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
FFPF08S60STU-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复峰值电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)为1.4V, 有助于降低导通损耗; 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效率电能转换系统, 在高温或高频率运行环境中仍能保持稳定的电气性能。
FFPF08S60STU-HXY特性
暂无产品特性。
FFPF08S60STU-HXY应用领域
暂无应用领域。
