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FFPF08S60STTU-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

FFPF08S60STTU-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

FFPF08S60STTU-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

FFPF08S60STTU-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效与可靠性。

FFPF08S60STTU-HXY特性

暂无产品特性。

FFPF08S60STTU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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