FFPF08S60STTU-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
FFPF08S60STTU-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
FFPF08S60STTU-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
FFPF08S60STTU-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效与可靠性。
FFPF08S60STTU-HXY特性
暂无产品特性。
FFPF08S60STTU-HXY应用领域
暂无应用领域。
