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FFPF08S60SNTU-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

FFPF08S60SNTU-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.4V, 体现出较低的导通损耗。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备一定的瞬态电流耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 该二极管适用于高频、高效率的电源转换系统以及对体积和热管理有较高要求的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

20

货期

现货

FFPF08S60SNTU-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存20

FFPF08S60SNTU-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.4V, 体现出较低的导通损耗。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备一定的瞬态电流耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 该二极管适用于高频、高效率的电源转换系统以及对体积和热管理有较高要求的电子设备中。

FFPF08S60SNTU-HXY特性

暂无产品特性。

FFPF08S60SNTU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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