库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
FFPF04H60STU-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

FFPF04H60STU-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 并能承受高达36A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及对体积与散热有较高要求的电力电子系统。 其快速恢复能力有助于减少开关过程中的能量损耗, 提升整体电路性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

20

货期

现货

FFPF04H60STU-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存20

FFPF04H60STU-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 并能承受高达36A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及对体积与散热有较高要求的电力电子系统。 其快速恢复能力有助于减少开关过程中的能量损耗, 提升整体电路性能。

FFPF04H60STU-HXY特性

暂无产品特性。

FFPF04H60STU-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件