FFPF04H60STU-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
FFPF04H60STU-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 并能承受高达36A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及对体积与散热有较高要求的电力电子系统。 其快速恢复能力有助于减少开关过程中的能量损耗, 提升整体电路性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
20
货期
现货
FFPF04H60STU-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
FFPF04H60STU-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 并能承受高达36A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及对体积与散热有较高要求的电力电子系统。 其快速恢复能力有助于减少开关过程中的能量损耗, 提升整体电路性能。
FFPF04H60STU-HXY特性
暂无产品特性。
FFPF04H60STU-HXY应用领域
暂无应用领域。
