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FFD08S60S-F085-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FFD08S60S-F085-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 正向压降典型值低至1.3V, 在瞬态条件下可承受高达64A的非重复峰值正向浪涌电流。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 适用于高效率电源转换、功率因数校正及高频整流等电路拓扑。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

46

货期

现货

FFD08S60S-F085-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存46

FFD08S60S-F085-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 正向压降典型值低至1.3V, 在瞬态条件下可承受高达64A的非重复峰值正向浪涌电流。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 适用于高效率电源转换、功率因数校正及高频整流等电路拓扑。

FFD08S60S-F085-HXY特性

暂无产品特性。

FFD08S60S-F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

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