FFD08S60S-F085-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FFD08S60S-F085-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 正向压降典型值低至1.3V, 在瞬态条件下可承受高达64A的非重复峰值正向浪涌电流。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 适用于高效率电源转换、功率因数校正及高频整流等电路拓扑。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
46
货期
现货
FFD08S60S-F085-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
FFD08S60S-F085-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 正向压降典型值低至1.3V, 在瞬态条件下可承受高达64A的非重复峰值正向浪涌电流。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 适用于高效率电源转换、功率因数校正及高频整流等电路拓扑。
FFD08S60S-F085-HXY特性
暂无产品特性。
FFD08S60S-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
