FFD04H60S-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FFD04H60S-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗与导通损耗, 在高频运行条件下仍能保持稳定性能, 适合用于各类高密度、高效率的电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
FFD04H60S-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
FFD04H60S-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗与导通损耗, 在高频运行条件下仍能保持稳定性能, 适合用于各类高密度、高效率的电力电子系统中。
FFD04H60S-HXY特性
暂无产品特性。
FFD04H60S-HXY应用领域
暂无应用领域。
