库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
FFD04H60S-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FFD04H60S-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗与导通损耗, 在高频运行条件下仍能保持稳定性能, 适合用于各类高密度、高效率的电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

FFD04H60S-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存48

FFD04H60S-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗与导通损耗, 在高频运行条件下仍能保持稳定性能, 适合用于各类高密度、高效率的电力电子系统中。

FFD04H60S-HXY特性

暂无产品特性。

FFD04H60S-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件