FF06320A-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FF06320A-HXY
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率、高频率的电力转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 支持稳定的开关操作。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具备优异的耐高温和耐高压性能, 可显著降低开关损耗, 提升系统整体能效。 典型应用包括高效开关电源、太阳能逆变系统及高密度功率模块等对性能要求严苛的领域。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
37
货期
现货
FF06320A-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
FF06320A-HXY概述
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率、高频率的电力转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 支持稳定的开关操作。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具备优异的耐高温和耐高压性能, 可显著降低开关损耗, 提升系统整体能效。 典型应用包括高效开关电源、太阳能逆变系统及高密度功率模块等对性能要求严苛的领域。
FF06320A-HXY特性
暂无产品特性。
FF06320A-HXY应用领域
暂无应用领域。
