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FF06320A-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FF06320A-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率、高频率的电力转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 支持稳定的开关操作。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具备优异的耐高温和耐高压性能, 可显著降低开关损耗, 提升系统整体能效。 典型应用包括高效开关电源、太阳能逆变系统及高密度功率模块等对性能要求严苛的领域。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-252-2L

Stock

37

货期

现货

FF06320A-HXYParameters

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存37

FF06320A-HXY概述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率、高频率的电力转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 支持稳定的开关操作。 得益于碳化硅材料的特性, 器件具备优异的耐高温和耐高压性能, 可显著降低开关损耗, 提升系统整体能效。 典型应用包括高效开关电源、太阳能逆变系统及高密度功率模块等对性能要求严苛的领域。

FF06320A-HXY特性

暂无产品特性。

FF06320A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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