FF06030J-7A-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的漏极电流额定值， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻为26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件采用碳化硅材料， 具备低导通损耗与优异的高温工作能力， 适用于高效率、高开关频率的电源转换场合， 如通信电源、光伏逆变系统及大功率充电设备等， 在提升系统整体能效与功率密度方面具有显著优势。