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FES8JTHE3/45-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

FES8JTHE3/45-HXY

该快恢复/高效率二极管为独立式配置, 具有8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 表现出良好的导通效率与阻断能力。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变及高频变换电路中, 有助于降低功耗并提升系统响应性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

FES8JTHE3/45-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

FES8JTHE3/45-HXY概述

该快恢复/高效率二极管为独立式配置, 具有8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 表现出良好的导通效率与阻断能力。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变及高频变换电路中, 有助于降低功耗并提升系统响应性能。

FES8JTHE3/45-HXY特性

暂无产品特性。

FES8JTHE3/45-HXY应用领域

暂无应用领域。

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