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FES8JT-E3/45-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

FES8JT-E3/45-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及整流场合, 能够在高频工作条件下保持稳定性能, 有效降低系统损耗。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

FES8JT-E3/45-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

FES8JT-E3/45-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及整流场合, 能够在高频工作条件下保持稳定性能, 有效降低系统损耗。

FES8JT-E3/45-HXY特性

暂无产品特性。

FES8JT-E3/45-HXY应用领域

暂无应用领域。

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