FES8JT-E3/45-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
FES8JT-E3/45-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及整流场合, 能够在高频工作条件下保持稳定性能, 有效降低系统损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
FES8JT-E3/45-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
FES8JT-E3/45-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及整流场合, 能够在高频工作条件下保持稳定性能, 有效降低系统损耗。
FES8JT-E3/45-HXY特性
暂无产品特性。
FES8JT-E3/45-HXY应用领域
暂无应用领域。
