FDZ1323NZ
IC
WLCSP-6(1.3x2.3)
可供量大可议
FDZ1323NZ
此器件专门设计为锂电子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装解决方案。 它具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET， 可实现双向电流流向， 基于先进的 PowerTrench 工艺以及“低间距”WLCSP 封装工艺， FDZ1323NZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。 这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破， 使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rS1S2(on) 等诸多性能结合在一起。
品牌
onsemi
封装
WLCSP-6(1.3x2.3)
库存
100
货期
现货
FDZ1323NZ参数
| 封装 | WLCSP-6(1.3x2.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
FDZ1323NZ概述
此器件专门设计为锂电子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装解决方案。 它具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET， 可实现双向电流流向， 基于先进的 PowerTrench 工艺以及“低间距”WLCSP 封装工艺， FDZ1323NZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。 这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破， 使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rS1S2(on) 等诸多性能结合在一起。
FDZ1323NZ特性
暂无产品特性。
FDZ1323NZ应用领域
暂无应用领域。