FDY100PZ
IC
SC-89
可供量大可议
FDY100PZ
此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的， 可优化 RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
品牌
onsemi
封装
SC-89
库存
7
货期
现货
FDY100PZ参数
| 封装 | SC-89 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
FDY100PZ概述
此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的， 可优化 RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
FDY100PZ特性
暂无产品特性。
FDY100PZ应用领域
暂无应用领域。