FDWS86380-F085
IC
Power-56
可供量大可议
FDWS86380-F085
特性：典型导通电阻RDS(on) = 11.3 mΩ（VGS = 10 V， ID = 50 A）。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 20 nC（VGS = 10 V， ID = 50 A）。 具有UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。 可焊侧翼， 便于自动光学检测（AOI）。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌
onsemi
封装
Power-56
库存
7
货期
现货
FDWS86380-F085参数
| 封装 | Power-56 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
FDWS86380-F085概述
特性：典型导通电阻RDS(on) = 11.3 mΩ（VGS = 10 V， ID = 50 A）。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 20 nC（VGS = 10 V， ID = 50 A）。 具有UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。 可焊侧翼， 便于自动光学检测（AOI）。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
FDWS86380-F085特性
暂无产品特性。
FDWS86380-F085应用领域
暂无应用领域。