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FDV305N-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

FDV305N-HXY

FDV305N N沟道MOS管以紧凑型SOT-23封装呈现, 专为高效能与小体积应用设计。 具备20V的最大漏源电压(VDSS), 可在稳定状态下提供2.3A的漏极电流(ID), 并展现出优秀的导通性能, 其导通电阻仅为48mΩ(RD(on))。 此款MOS管凭借其优良的电气参数和可靠性, 广泛应用于电源转换、电池管理系统以及各类低电压、小电流控制场景, 实现精准高效的电路控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

20

货期

现货

FDV305N-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存20

FDV305N-HXY概述

FDV305N N沟道MOS管以紧凑型SOT-23封装呈现, 专为高效能与小体积应用设计。 具备20V的最大漏源电压(VDSS), 可在稳定状态下提供2.3A的漏极电流(ID), 并展现出优秀的导通性能, 其导通电阻仅为48mΩ(RD(on))。 此款MOS管凭借其优良的电气参数和可靠性, 广泛应用于电源转换、电池管理系统以及各类低电压、小电流控制场景, 实现精准高效的电路控制。

FDV305N-HXY特性

暂无产品特性。

FDV305N-HXY应用领域

暂无应用领域。

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