FDV305N-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
FDV305N-HXY
FDV305N N沟道MOS管以紧凑型SOT-23封装呈现, 专为高效能与小体积应用设计。 具备20V的最大漏源电压(VDSS), 可在稳定状态下提供2.3A的漏极电流(ID), 并展现出优秀的导通性能, 其导通电阻仅为48mΩ(RD(on))。 此款MOS管凭借其优良的电气参数和可靠性, 广泛应用于电源转换、电池管理系统以及各类低电压、小电流控制场景, 实现精准高效的电路控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
20
货期
现货
FDV305N-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
FDV305N-HXY概述
FDV305N N沟道MOS管以紧凑型SOT-23封装呈现, 专为高效能与小体积应用设计。 具备20V的最大漏源电压(VDSS), 可在稳定状态下提供2.3A的漏极电流(ID), 并展现出优秀的导通性能, 其导通电阻仅为48mΩ(RD(on))。 此款MOS管凭借其优良的电气参数和可靠性, 广泛应用于电源转换、电池管理系统以及各类低电压、小电流控制场景, 实现精准高效的电路控制。
FDV305N-HXY特性
暂无产品特性。
FDV305N-HXY应用领域
暂无应用领域。
